集萃中科光电光谱椭偏仪SE-200是一款自主研发的先进光学测量设备,专为高精度、高效率的材料光学特性分析而设计。它能够自动快速、准确地测量材料的折射率、消光系数和膜厚,适用于科研、半导体、光伏、光学镀膜、显示面板等领域的薄膜与材料表征需求。
集萃中科光电光谱椭偏仪SE-200是一款自主研发的先进光学测量设备,专为高精度、高效率的材料光学特性分析而设计。它能够自动快速、准确地测量材料的折射率、消光系数和膜厚,适用于科研、半导体、光伏、光学镀膜、显示面板等领域的薄膜与材料表征需求。
光学系统 用以采集全波段内的原始椭圆偏振参数Psi&Del
入射角度: 65°;
光束偏离: <0.3°;
测量参数: Psi&Del、TanPsi&CosDel;AlphaΒ
偏振器: 格兰-汤姆森;
材质: α-BBO;
补偿器: 四分之一波长相位延迟,超消色差;
光强选择: 线性光密度光选。保证测试过程中极佳信噪比,提升测试精度;既防止光 强过强引起的光强截止,又防止光强不够引起的信噪比过低,影响测试精 度;
光路设计: 偏振光学主体由双光纤连接至光源及光谱仪系统;光路稳定,且方便更换 寿命到期的灯泡;
光纤: 抗紫外钝化;NA=0.22;孔径600μm,增加抗静电套圈;
微细光斑: 直径≤200μm,达到分离透明及半透明衬底前后表面光斑的效果;微细 光斑装置可自由拆卸;
出射狭缝: 150μm,用以分离透明及半透明衬底的后表面无效光;
高效镜组: 配置紫外渗透高效收光镜组。
光谱采集
背照式TE制冷CCD光纤谱仪,读取全波段光强数值
检测单元: 2048元快速背照式CCD探测器,狭缝25微米或50微米;
具体参数: A.光谱范围优于350nm-1000nm;
B.杂散光<0.02%@400nm;
C. 信噪比4800:1;
D. 动态范围50000:1;
E. 全息光路;
F. 数字分辨率16-bit;
G. 读取速度>400kHz;
H. 数据传输速度600MB/s;
I. 最小积分时间/调节步长6 us /1us;
J. 外触发延迟95ns+/-20ns;
K. 计算机接口USB3.0;
L. 操作系统Win7/Win10;
紫外区平均量子化效率:背照式CCD,平均量子化效率≥75%;
冷却系统: 微型TE制冷,制冷温度可达环境下温度30℃,制冷温度可通过软件设置;
积分方式: 软件智能化设置积分时间,以最佳信噪比获得高强度信号和弱信号;
储存空间: 具有EEPROM 64组光谱数据存储空间,可由光谱仪单独存储后一次性 输入计算机,减少单次传输过程时间损耗;
线性矫正: 具有光谱全域线性矫正功能,线性矫正因子可由软件读出,在非线性光谱 区亦保证较高的光谱线性度;
抗静电: 增加抗静电干扰配置。
光源系统
卤素光源
灯源体: 光源系统,灯泡材质石英玻璃,波长范围350nm-2000nm,
光源质保:10000小时;
电源: 卤素光源独立电源;
电压: 4.95v;
散热: 能自灯源体均匀散热。不会因散热不畅引起灯泡体温度过高影响使用寿命,又不会因散热不均影响光强漂移。
全自动多点移动测试 可自动多点移动测试,移动方式为X-Y(X-Theita极坐标可选)形移动,含Z轴自动对焦,将试片自动对焦至最佳测量位置
点数可设置: 如1,3,5,9,16,25…100点;
位置限定: 具有正负极限位置及零位光耦;软件设定对焦起始结束位置及对焦位移步 长;
对焦方式: 光学对焦;采集特殊积分时间及特殊波长下的垂直Z向移动对应的光强 曲线,利用高斯拟合,寻找最佳试片测量位置;
载物台面: 适用于最大12英寸规格的硅片测试,向下兼容,寻边低于3mm。
测量分析软件 适用于Windows11操作系统(正版授权);图形化操作界面,软件操作方便、直观
一键测量: 能一键测量 (完成包括对焦,光选,采集,分析在类)的全部测量流程。另外提供对焦、光选、采集、建模、回归等分步功能按钮;
软件建模: 包括EMA,Dispersion,Grade,Roughness等;
复杂建模: 包括Sellmeier(2)、Sellmeier(3)、Cauchy(n,k)、Cauchy(epsi)、 ModifCauchy(n,k)、Drude、IRTail、Lorentz、Gauss、CriticalPoint等复 杂理论建模模型,且使用简单清晰;
折射率垂直梯度分析:包括对折射率垂直梯度的分析;
粗糙度分析: 包括对镀膜膜层界面粗糙度的分析;
膜层分析: 可进行单层及多层膜分析显示,分析膜层数不受限制;
波长范围及波长数目:可自定义分析波长范围及波长数目;
修正模型及拟合: 用户可自定义修正模型和拟合参数;
数据库: 提供便于使用、用户可扩展(自定义)的材料数据库及模型数据库;
波长显示: 光谱能以能量及波长单位显示;
输出结果: 拟合出所测薄膜厚度, n&k常数;
MES: 支持MES功能;
具有三级权限: OperationMode、EngineerMode、SyscosMode。
测试与分析性能
速度: 单点约1秒;49点约1分30秒;
波长范围: 350nm-1050nm;
膜厚显示精度: 0.1 Å (For 100nm SiO2);
折射率显示精度: 1x10-3 (For 100nm SiO2);
膜厚重复性精度: 0.1Å (Std,10次,For 100nm SiO2,);
折射率重复性精度:1x10-3(Std,10次, For 100nm SiO2);
厚度范围: 0.1nm - 10000nm;
膜厚精度: 0.3nm(跟标准片标定值差异,中科计量院朔源);
折射率精度: 0.003(跟标准片标定值差异,中科计量院朔源)。
控制系统
运动控制:7轴;
实时系统:含外触发及软件自触发;
校准归零:起偏器P、补偿器C、检偏器A、光选器F、对焦轴Z、移动轴XY有自归零位置校准功能,同时对偏振态控制器配置高精度对对编码位置锁定器,具有带隙补偿功能;
正视图
侧视图
后视图
基本参数选型表 | |||||
光谱范围 | 350-1000nm | C | - | - | 可见 |
210-1000nm | UC | - | - | 紫外可见 | |
210-1700nm | UN | - | - | 紫外-可见-近红外 | |
光学补偿器 | RC | - | - | - | 单补偿器 |
RC2 | - | C2 | - | 双补偿器 | |
多点 | X-Y(笛卡尔坐标) | - | - | M | 大行程至230mm |
X-R(极坐标) | - | - | R | 大直径至300mm |
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